1，施主或受主雜質原子的半徑壹般較大，所以它們很難直接進入半導體晶格的間隙。只有晶體中存在晶格空位，雜質原子才能進入並占據這些空位，從而進入晶體。
2.為了在晶體中產生大量的晶格空位，需要對晶體進行加熱，以加劇晶體原子的熱運動，使部分原子獲得足夠高的能量離開晶格位置，留下空位(同時產生等量的間隙原子，空位和間隙原子統稱為熱缺陷)，因此原子的擴散系數隨著溫度的升高呈指數增加。
3.對於Si晶體，要在其中形成大量空位，需要的溫度大約是1000度[C]，這是熱擴散的溫度。